碳化硅 MOSFET 具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能，在電力電子系統(tǒng)中應(yīng)用碳化硅 MOSFET 器件替代傳統(tǒng)硅 IGBT 器件，可提高功率回路開(kāi)關(guān)頻率，提升系統(tǒng)效率及功率密度，降低系統(tǒng)綜合成本。主要適用于：光伏逆變、儲(chǔ)能、工業(yè)電源、新能源汽車、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、充電樁等領(lǐng)域。

宏微碳化硅 MOSFET 分立器件具有低開(kāi)關(guān)損耗、高工作結(jié)溫、低導(dǎo)通電阻等特點(diǎn)，產(chǎn)品具備足夠的魯棒性。